Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2316DS-T1-E3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T123979
Distribuie
  • 4,90lei

  • Fără TVA:4,12lei

  • 5 sau mai multe 2,77lei
  • 25 sau mai multe 2,44lei
  • 42 sau mai multe 2,17lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2440 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2316DS-T1-E3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.45W

Curent drena: 2.3A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 2.3A
Incarcatura poarta 4.3nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 85mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha