Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2312BDS-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123977
-
2,86lei
- Fără TVA:2,36lei
-
- 25 sau mai multe 2,57lei
- 48 sau mai multe 2,00lei
- 112 sau mai multe 1,89lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2312BDS-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 20V
Capsula: SOT23
Montare: SMD
Putere disipata: 0.48W
Curent drena: 3.9A
Caracteristici
| Carcasa | SOT23 |
| Curent de drena in impuls | 15A |
| Curent drena | 3.9A |
| Incarcatura poarta | 12nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 31mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±8V |
| Tip produs | Datalogger |