Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, TO236AB, NEXPERIA - PMV90ENER

  • Producător Nexperia
  • Cod produs:T123888
Distribuie
  • 2,97lei

  • Fără TVA:2,49lei

  • 10 sau mai multe 2,25lei
  • 25 sau mai multe 1,75lei
  • 100 sau mai multe 1,13lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1095 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, TO236AB, NEXPERIA - PMV90ENER

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT23, TO236AB

Montare: SMD

Putere disipata: {{Putere disipata}}

Curent drena: 1.9A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate, logic level
Carcasa SOT23, TO236AB
Curent de drena in impuls 12A
Curent drena 1.9A
Incarcatura poarta 5.5nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 118mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tip produs Tranzistor

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha