Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - FDV303N

Distribuie
  • 2,23lei

  • Fără TVA:1,87lei

  • 10 sau mai multe 1,39lei
  • 50 sau mai multe 0,93lei
  • 100 sau mai multe 0,79lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (4595 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - FDV303N

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 25V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.35W

Curent drena: 0.68A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Carcasa SOT23
Curent drena 0.68A
Incarcatura poarta 2.3nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 800mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 25V
Tensiune poarta-sursa ±8V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha