Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - BVSS123LT1G

Distribuie
  • 3,03lei

  • Fără TVA:2,51lei

  • 5 sau mai multe 2,24lei
  • 10 sau mai multe 1,87lei
  • 30 sau mai multe 1,38lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (365 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - BVSS123LT1G

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.225W

Curent drena: 0.17A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 0.17A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 6Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha