Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC - LGE2312

Distribuie
  • 0,77lei

  • Fără TVA:0,65lei

  • 50 sau mai multe 0,49lei
  • 240 sau mai multe 0,38lei
  • 550 sau mai multe 0,36lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2613 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC - LGE2312

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: {{Putere disipata}}

Curent drena: 4.9A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 4.9A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 31mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha