Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, INFINEON TECHNOLOGIES - BF999E6327
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121797
-
1,86lei
- Fără TVA:1,56lei
-
- 25 sau mai multe 1,38lei
- 34 sau mai multe 1,02lei
- 194 sau mai multe 0,96lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, INFINEON TECHNOLOGIES - BF999E6327
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 12V
Capsula: SOT23
Montare: {{Montare}}
Putere disipata: 200mW
Curent drena: 30mA
Caracteristici
| Amplificare | 27dB |
| Caracteristici elemente semiconductoare | dual gate |
| Carcasa | SOT23 |
| Curent drena | 30mA |
| Montare electrica | SMT |
| Polarizare | unipolar |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | sărăcit |
| Subtip tranzistor | RF |
| Tensiune drena-sursa | 12V |
| Tensiune poarta-sursa | ±6.5V |