Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - ZXMN2B01FTA

Distribuie
  • 2,89lei

  • Fără TVA:2,43lei

  • 10 sau mai multe 2,23lei
  • 66 sau mai multe 1,39lei
  • 100 sau mai multe 1,26lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (3000 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - ZXMN2B01FTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.625W

Curent drena: 2.1A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 11.8A
Curent drena 2.1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.1Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha