Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - DMN3730UFB4-7

Distribuie
  • 0,88lei

  • Fără TVA:0,74lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - DMN3730UFB4-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.45W

Curent drena: 0.75A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 10A
Curent drena 0.75A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.46Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha