Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23-3, ON SEMICONDUCTOR - MGSF2N02ELT1G

Distribuie
  • 3,05lei

  • Fără TVA:2,56lei

  • 5 sau mai multe 2,49lei
  • 10 sau mai multe 2,16lei
  • 50 sau mai multe 1,45lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (491 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23-3, ON SEMICONDUCTOR - MGSF2N02ELT1G

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23-3

Montare: SMD

Putere disipata: 1.25W

Curent drena: 2.8A

Caracteristici
Carcasa SOT23-3
Curent drena 2.8A
Incarcatura poarta 3.5nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 85mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Tranzistor

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha