Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23-3, MICROCHIP (SUPERTEX) - LND150K1-G

Distribuie
  • 7,90lei

  • Fără TVA:6,64lei

  • 5 sau mai multe 4,69lei
  • 23 sau mai multe 4,05lei
  • 25 sau mai multe 3,95lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (400 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23-3, MICROCHIP (SUPERTEX) - LND150K1-G

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: SOT23-3

Montare: SMD

Putere disipata: 360mW

Curent drena: {{Curent drena}}

Caracteristici
Carcasa SOT23-3
Curent de drena in impuls 0.013A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1kΩ
Subtip canal sărăcit
Tensiune drena-sursa 500V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Tranzistor

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha