Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, YANGJIE TECHNOLOGY - YJM04N10A

Distribuie
  • 0,69lei

  • Fără TVA:0,58lei

  • 100 sau mai multe 0,65lei
  • 175 sau mai multe 0,53lei
  • 400 sau mai multe 0,50lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (5415 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, YANGJIE TECHNOLOGY - YJM04N10A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 3.2A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent de drena in impuls 16A
Curent drena 3.2A
Incarcatura poarta 16nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 120mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha