Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, STMicroelectronics - STN1HNK60

Distribuie
  • 7,65lei

  • Fără TVA:6,43lei

  • 30 sau mai multe 3,60lei
  • 50 sau mai multe 3,13lei
  • 68 sau mai multe 1,34lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (14621 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, STMicroelectronics - STN1HNK60

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 3.3W

Curent drena: 0.4A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT223
Curent drena 0.4A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 8500mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±30V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha