Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMS6005DGTA

Distribuie
  • 5,72lei

  • Fără TVA:4,80lei

  • 10 sau mai multe 4,67lei
  • 25 sau mai multe 3,74lei
  • 57 sau mai multe 3,54lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (482 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMS6005DGTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 1.3W

Curent drena: 2A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate, logic level
Carcasa SOT223
Curent drena 2A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.2Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha