Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN4A06GTA

Distribuie
  • 6,24lei

  • Fără TVA:5,24lei

  • 5 sau mai multe 5,57lei
  • 20 sau mai multe 4,60lei
  • 47 sau mai multe 4,37lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (635 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN4A06GTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 5.6A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 5.6A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.075Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha