Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A25GTA

Distribuie
  • 7,84lei

  • Fără TVA:6,59lei

  • 5 sau mai multe 6,97lei
  • 17 sau mai multe 5,56lei
  • 38 sau mai multe 5,28lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (314 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A25GTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 3.7A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent drena 3.7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.15Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha