Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - DMN3032LE-13

Distribuie
  • 4,49lei

  • Fără TVA:3,78lei

  • 10 sau mai multe 3,18lei
  • 69 sau mai multe 1,32lei
  • 161 sau mai multe 1,25lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1268 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT223, DIODES INCORPORATED - DMN3032LE-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 1.8W

Curent drena: 4.1A

Caracteristici
Carcasa SOT223
Curent de drena in impuls 25A
Curent drena 4.1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.029Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha