Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4178DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124001
-
2,61lei
- Fără TVA:2,16lei
-
- 20 sau mai multe 2,34lei
- 50 sau mai multe 2,19lei
- 52 sau mai multe 1,88lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1818 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4178DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 6.7A
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent drena | 6.7A |
| Incarcatura poarta | 12nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 33mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±25V |