Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4056DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123994
-
5,86lei
- Fără TVA:4,92lei
-
- 10 sau mai multe 5,12lei
- 25 sau mai multe 4,52lei
- 29 sau mai multe 3,17lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4056DY-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 3.6W
Curent drena: 11.1A
Caracteristici
Carcasa | SO8 |
Curent de drena in impuls | 70A |
Curent drena | 11.1A |
Incarcatura poarta | 29.5nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 23mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |