Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4056DY-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T123994
Distribuie
  • 7,67lei

  • Fără TVA:6,44lei

  • 10 sau mai multe 5,21lei
  • 29 sau mai multe 3,22lei
  • 67 sau mai multe 3,05lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, VISHAY - SI4056DY-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 3.6W

Curent drena: 11.1A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent de drena in impuls 70A
Curent drena 11.1A
Incarcatura poarta 29.5nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 23mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha