Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, STMicroelectronics - STS10P4LLF6

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, STMicroelectronics - STS10P4LLF6

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.7W

Curent drena: 5.6A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent de drena in impuls 40A
Curent drena 5.6A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 15mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha