Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS6612A

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS6612A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 8.4A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena 8.4A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 37mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha