Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS3672

Distribuie
  • 8,94lei

  • Fără TVA:7,39lei

  • 5 sau mai multe 7,87lei
  • 10 sau mai multe 7,17lei
  • 19 sau mai multe 5,13lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2464 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR - FDS3672

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 4.8A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena 4.8A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 43mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha