Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, Infineon (IRF) - IRF7495PBF

Distribuie
  • 5,32lei

  • Fără TVA:4,47lei

  • 3 sau mai multe 4,33lei
  • 8 sau mai multe 3,33lei
  • 61 sau mai multe 3,15lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, Infineon (IRF) - IRF7495PBF

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 7.3A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena 7.3A
Incarcatura poarta 34nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 22mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha