Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, DIODES INCORPORATED - DMN2028USS-13

Distribuie
  • 3,42lei

  • Fără TVA:2,88lei

  • 10 sau mai multe 2,89lei
  • 50 sau mai multe 2,39lei
  • 59 sau mai multe 1,56lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, DIODES INCORPORATED - DMN2028USS-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 12.5W

Curent drena: 7.3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SO8
Curent drena 7.3A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.028Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha