Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - AO4296

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2W

Curent drena: 10.5A

Caracteristici

Carcasa	SO8
Curent drena	10.5A
Incarcatura poarta	18.5nC
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	8.3mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	100V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare