Tranzistor N-MOSFET, capsula SO10RF, STMicroelectronics - PD55003-E

Distribuie
  • 90,57lei

  • Fără TVA:76,11lei

  • 2 sau mai multe 63,54lei
  • 4 sau mai multe 60,15lei
  • 10 sau mai multe 60,13lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (40 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO10RF, STMicroelectronics - PD55003-E

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: SO10RF

Montare: {{Montare}}

Putere disipata: 31.7W

Curent drena: 2.5A

Caracteristici
Amplificare 17dB
Carcasa SO10RF
Curent drena 2.5A
Eficienţa 52%
Montare electrica SMT
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Putere de ieşire 3W
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Subtip tranzistor RF
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha