Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerSO10RF, STMicroelectronics - PD57018-E

Distribuie
  • 170,97lei

  • Fără TVA:143,67lei

  • 2 sau mai multe 161,81lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerSO10RF, STMicroelectronics - PD57018-E

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 65V

Capsula: PowerSO10RF

Montare: {{Montare}}

Putere disipata: 31.7W

Curent drena: 2.5A

Caracteristici
Amplificare 16.5dB
Carcasa PowerSO10RF
Curent drena 2.5A
Montare electrica SMT
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Putere de ieşire 18W
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Subtip tranzistor RF
Tensiune drena-sursa 65V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha