STIMATI CLIENTI, VA INFORMAM CA IN PERIOADA 7-24 AUGUST 2025, MAGAZINUL VA FI INCHIS. COMENZILE INTRATE IN ACEASTA PERIOADA VOR FI PROCESATE SI EXPEDIATE INCEPAND CU 25 AUGUST 2025.

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ158EP-T1_GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124097
Distribuie
  • 4,94lei

  • Fără TVA:4,08lei

  • 10 sau mai multe 4,15lei
  • 25 sau mai multe 3,63lei
  • 29 sau mai multe 3,30lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ158EP-T1_GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 45W

Curent drena: 13A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent drena 13A
Incarcatura poarta 17nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 33mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha