Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR470DP-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124055
Distribuie
  • 17,53lei

  • Fără TVA:14,73lei

  • 10 sau mai multe 9,41lei
  • 24 sau mai multe 8,91lei
  • 500 sau mai multe 8,40lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR470DP-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 66.6W

Curent drena: 60A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent de drena in impuls 100A
Curent drena 60A
Incarcatura poarta 155nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha