Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR422DP-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124052
Distribuie
  • 7,35lei

  • Fără TVA:6,18lei

  • 5 sau mai multe 6,61lei
  • 18 sau mai multe 5,18lei
  • 41 sau mai multe 4,92lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2578 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIR422DP-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 22.2W

Curent drena: 40A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent de drena in impuls 70A
Curent drena 40A
Incarcatura poarta 48nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 6.6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 40V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha