Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIHJ10N60E-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124049
Distribuie
  • 19,68lei

  • Fără TVA:16,54lei

  • 5 sau mai multe 17,67lei
  • 7 sau mai multe 13,81lei
  • 16 sau mai multe 13,07lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerPAK® SO8, VISHAY - SIHJ10N60E-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PowerPAK® SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 89W

Curent drena: 6A

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent drena 6A
Incarcatura poarta 50nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 313mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±30V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha