Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®5060-8, DIODES INCORPORATED - DMT10H010LPS-13

Distribuie
  • 9,66lei

  • Fără TVA:8,12lei

  • 10 sau mai multe 7,95lei
  • 17 sau mai multe 5,48lei
  • 39 sau mai multe 5,18lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®5060-8, DIODES INCORPORATED - DMT10H010LPS-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PowerDI®5060-8

Montare: SMD

Putere disipata: 1.2W

Curent drena: 98A

Caracteristici
Carcasa PowerDI®5060-8
Curent drena 98A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.0083Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha