Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMN10H170SFG-13

Distribuie
  • 3,72lei

  • Fără TVA:3,13lei

  • 10 sau mai multe 3,09lei
  • 61 sau mai multe 1,50lei
  • 142 sau mai multe 1,42lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMN10H170SFG-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PowerDI®3333-8

Montare: SMD

Putere disipata: 1.3W

Curent drena: 2.7A

Caracteristici
Carcasa PowerDI®3333-8
Curent drena 2.7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.133Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha