Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMN1004UFV-7

Distribuie
  • 2,83lei

  • Fără TVA:2,38lei

  • 50 sau mai multe 2,37lei
  • 56 sau mai multe 1,60lei
  • 130 sau mai multe 1,52lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1045 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMN1004UFV-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 12V

Capsula: PowerDI®3333-8

Montare: SMD

Putere disipata: 0.9W

Curent drena: 55A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PowerDI®3333-8
Curent drena 55A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.0051Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 12V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha