Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, Infineon (IRF) - IRFHM6342TR2PBF

Distribuie
  • 1,12lei

  • Fără TVA:0,94lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, Infineon (IRF) - IRFHM6342TR2PBF

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: PQFN2X2

Montare: SMD

Putere disipata: 2.1W

Curent drena: 8.5A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Carcasa PQFN2X2
Curent drena 8.5A
Incarcatura poarta 11nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 15.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha