Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL60HS118
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T123369
-
8,40lei
- Fără TVA:6,94lei
-
- 5 sau mai multe 6,02lei
- 10 sau mai multe 5,31lei
- 32 sau mai multe 3,01lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL60HS118
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PQFN2X2
Montare: SMD
Putere disipata: 5.8W
Curent drena: 13A
Caracteristici
| Carcasa | PQFN2X2 |
| Curent drena | 13A |
| Incarcatura poarta | 5.3nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 17mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |