Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL60HS118

Distribuie
  • 5,86lei

  • Fără TVA:4,92lei

  • 5 sau mai multe 4,31lei
  • 32 sau mai multe 2,86lei
  • 74 sau mai multe 2,71lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL60HS118

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PQFN2X2

Montare: SMD

Putere disipata: 5.8W

Curent drena: 13A

Caracteristici
Carcasa PQFN2X2
Curent drena 13A
Incarcatura poarta 5.3nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 17mΩ
Subtip ambalaj rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha