Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL60HS118
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T123369
-
5,86lei
- Fără TVA:4,92lei
-
- 5 sau mai multe 4,31lei
- 32 sau mai multe 2,86lei
- 74 sau mai multe 2,71lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PQFN2X2, INFINEON TECHNOLOGIES - IRL60HS118
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PQFN2X2
Montare: SMD
Putere disipata: 5.8W
Curent drena: 13A
Caracteristici
Carcasa | PQFN2X2 |
Curent drena | 13A |
Incarcatura poarta | 5.3nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 17mΩ |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |