Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R650P6SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122914
-
8,47lei
- Fără TVA:7,11lei
-
- 3 sau mai multe 7,27lei
- 10 sau mai multe 5,86lei
- 18 sau mai multe 5,15lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R650P6SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-VSON-4
Montare: SMD
Putere disipata: 56.8W
Curent drena: 6.7A
Caracteristici
| Carcasa | PG-VSON-4 |
| Curent drena | 6.7A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.65Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |