Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R650P6SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122914
-
11,67lei
- Fără TVA:9,81lei
-
- 10 sau mai multe 8,80lei
- 18 sau mai multe 5,23lei
- 42 sau mai multe 4,95lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R650P6SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-VSON-4
Montare: SMD
Putere disipata: 56.8W
Curent drena: 6.7A
Caracteristici
| Carcasa | PG-VSON-4 |
| Curent drena | 6.7A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.65Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |