Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R650P6SATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PG-VSON-4

Montare: SMD

Putere disipata: 56.8W

Curent drena: 6.7A

Caracteristici

Carcasa	PG-VSON-4
Curent drena	6.7A
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.65Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	600V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare