Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-VSON-4, INFINEON TECHNOLOGIES - IPL60R285P7AUMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PG-VSON-4

Montare: SMD

Putere disipata: 59W

Curent drena: 8A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	PG-VSON-4
Curent drena	8A
Incarcatura poarta	18nC
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.285Ω
Subtip ambalaj	rolă
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	600V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare