Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ900N20NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122144
-
10,70lei
- Fără TVA:8,84lei
-
- 10 sau mai multe 8,39lei
- 13 sau mai multe 7,60lei
- 25 sau mai multe 7,24lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (972 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ900N20NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 62.5W
Curent drena: 15.2A
Caracteristici
Carcasa | PG-TSDSON-8 |
Curent drena | 15.2A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 90mΩ |
Tensiune drena-sursa | 200V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |