Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ160N10NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122134
-
7,33lei
- Fără TVA:6,06lei
-
- 5 sau mai multe 6,18lei
- 22 sau mai multe 4,36lei
- 51 sau mai multe 4,13lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ160N10NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 63W
Curent drena: 40A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TSDSON-8 |
| Curent drena | 40A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 16mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |