Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ110N06NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122127
-
2,05lei
- Fără TVA:1,69lei
-
- 15000 sau mai multe 2,02lei
- 25000 sau mai multe 1,96lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ110N06NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 20A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TSDSON-8 |
| Curent de drena in impuls | 80A |
| Curent drena | 20A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 11mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |