Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ110N06NS3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122127
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ110N06NS3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-TSDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 50W
Curent drena: 20A
Caracteristici
Carcasa | PG-TSDSON-8 |
Curent de drena in impuls | 80A |
Curent drena | 20A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 11mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |