Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ110N06NS3GATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TSDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSZ110N06NS3GATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: PG-TSDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 50W

Curent drena: 20A

Caracteristici
Carcasa PG-TSDSON-8
Curent de drena in impuls 80A
Curent drena 20A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 11mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha