Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB180N04S4H0ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122686
-
19,74lei
- Fără TVA:16,32lei
-
- 5 sau mai multe 17,12lei
- 10 sau mai multe 10,53lei
- 22 sau mai multe 9,95lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB180N04S4H0ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 180A |
| Incarcatura poarta | 173nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.1mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |