Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB027N10N3GATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122641
-
30,88lei
- Fără TVA:25,95lei
-
- 3 sau mai multe 30,69lei
- 5 sau mai multe 28,89lei
- 25 sau mai multe 27,43lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB027N10N3GATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 120A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 120A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |