Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N08N3G
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122632
-
17,27lei
- Fără TVA:14,27lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB019N08N3G
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 180A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.9mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
