Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N10N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122629
-
31,74lei
- Fără TVA:26,23lei
-
- 4 sau mai multe 26,59lei
- 9 sau mai multe 25,17lei
- 1000 sau mai multe 24,71lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (998 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB017N10N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 180A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.7mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |