Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB011N04NGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122621
-
22,47lei
- Fără TVA:18,88lei
-
- 3 sau mai multe 15,72lei
- 13 sau mai multe 14,89lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-7, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB011N04NGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TO263-7
Montare: SMD
Putere disipata: 250W
Curent drena: 180A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-7 |
| Curent drena | 180A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.1mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |