Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB65R280E6ATMA1

Distribuie
  • 18,11lei

  • Fără TVA:15,22lei

  • 3 sau mai multe 15,58lei
  • 9 sau mai multe 11,03lei
  • 19 sau mai multe 10,45lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB65R280E6ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 104W

Curent drena: 13.8A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 13.8A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.28Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha