Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R299CPATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122719
-
18,87lei
- Fără TVA:15,85lei
-
- 3 sau mai multe 16,18lei
- 8 sau mai multe 11,47lei
- 19 sau mai multe 10,85lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R299CPATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 96W
Curent drena: 11A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 11A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.299Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |