Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R160C6ATMA1

Distribuie
  • 23,70lei

  • Fără TVA:19,92lei

  • 3 sau mai multe 20,50lei
  • 7 sau mai multe 14,44lei
  • 15 sau mai multe 13,67lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R160C6ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: PG-TO263-3

Montare: SMD

Putere disipata: 176W

Curent drena: 23.8A

Caracteristici
Carcasa PG-TO263-3
Curent drena 23.8A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.16Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha