Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R160C6ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122710
-
30,92lei
- Fără TVA:25,56lei
-
- 7 sau mai multe 15,01lei
- 15 sau mai multe 14,22lei
- 500 sau mai multe 13,58lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO263-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R160C6ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-TO263-3
Montare: SMD
Putere disipata: 176W
Curent drena: 23.8A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TO263-3 |
| Curent drena | 23.8A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.16Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |